سال انتشار: ۱۳۸۹

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی علوم و فناوری نانو

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

احمدرضا دارایی – دانشگاه سیستان و بلوچستان دانشکده علوم گروه فیزیک
لیلا قانع –
نرجس عزیزی –

چکیده:

در این مقاله به بررسی برهمکنش اکسیتونهای بدام افتاد در نقاط کوانتمی و فوتونهای محبوس شده درنانوکاواک تحت رژیمهای مختلف در ساختار های گاف نواری فوتونیکی متشکل از ستونهای هوا با شبکه شش گوشی در لایه گالیم ارسناید پرداخته شده است مدها و الگوهای سه بعدی محاسباتی میدان ها با مرتبه های متفاوت در نانوکاواک های بلور فوتونیکی مورد بررسی قرار گرفته شد تغییرات تناوبی میدان مدهای محبوس به فرم گره و شکم در پیرامون کاواک که به مدهای ویسپرینگ گالری معروفند دیده می شوند و در نتیجه میزان کوپل شدگی متفاوت آنها با نانوتابشگرها با تغییر پارامترهای مختلف دخیل در آن گزارش می گردد طیفهای مایکروفوتولومینسانس مشتمل بر مدهای نواقصH3,H2 با ثابت شبکه ۲۴۰ نانومتر و مقایسه انها با مدهای محاسباتی نیز ارائه خواهد گردید.