سال انتشار: ۱۳۸۹

محل انتشار: سیزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

شاهین قربانی زاده شیرازی – دانشکده برق، رایانه و فناوری اطلاعات، دانشگاه آزاد اسلامی قزوین
ستار میرزاکوچکی – دپارتمان برق و الکترونیک، دانشگاه علم و صنعت

چکیده:

امروزه ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی به عنوان بهترین گزینه برای جایگزینی ترانزیستورهای سیلیکونی در مدارات الکترونیکی شناخته شده اند. مطالعه روشهای نوین ساخت این ادوات و چگونگی تأثیر پارامترهای ساخت افزاره از مهمترین زمینه های پژوهشی در این نوع از ترانزیستورها بوده است. یکی از عوامل تأثیر گذار بر عملکرد این افزاره، اثر ثابت دی الکتریک عایق گیت، به ویژه در ناحیه زیر آستانه معکوس و اشباع معکوس، برمشخصه ترانزیستور است. بررسی نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که افزایش ثابتدی الکتریکعایق گیت بر شیب زیر آستانه ترانزیستور چندان تأثیر گذار نیست. اما ترارسانایی و ولتاژ آستانه ترانزیستور را تغییر می دهد. همچنین هدایت خروجی، جریان اشباع معکوس و نرخ جریان حالت روشن به خاموشبه طور چشمگیر تغییر می کنند. در این مقاله نرخ جریان در دو ولتاژ گیت 0,4 و 1 ولت به عنوان ولتاژ عملکردی ترانزیستور بررسی می گردد. افزاره یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با گیت هم محور بوده که توسط شیوه تابع گرین غیر تعادلی شبیه سازی می گردد.