سال انتشار: ۱۳۸۶

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1386

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

مهدی گودرزی – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف
روح الله عظیمی راد – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف
امید اخوان – دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف
مرتضی فتحی پور – پژوهشکده علوم و فناوری نانو،دانشگاه صنعتی شریف

چکیده:

در این تحقیق ، برای اولین بار نانومیله های اکسید تنگستن با حرارت د ادن لایه نازک تنگستن که با روش اسپاترینگ مغناطیسی DC بر روی سطح زیرلایه میکا لایه دقیقه ) رشد داده 120 به مدت N2 در محیط گاز 9000 C دقیقه و دمای 15 به مدت H2 در محیط گاز 7000 C نشانی شده، در شرایط مشخص و کنترل پذیر ( دمای به ترتیب ریخت شناسی ،شکل ، ابعادو توزیع آنهادر سـطحشدند . با استفاده ازتکنیک میکروسکوپی الکترونی روبشی SEMو همچنین پراش اشعه(XRD )X ( به ریخت شناسی ،شکل ، ابعادو توزیع آنهادر سـطح و همچنین تعیین فازها و ساختار کریستالی نانو میله ها بررسی گردید . بر اساس تحلیل نتایج بدست آمده از آنالیز های فوق، نانو میله های سـنتز شـده توسـط ایـن روش دارای طول 1-5 µm و پهنای 70 -200 nm می باشند و جهت کریستالی آنها در راستای (400) تعیین شد .