سال انتشار: ۱۳۸۹

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی علوم و فناوری نانو

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

سیدامیرعباس علومی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

چکیده:

مطالعه تاثیر خواص تشعشعی در ابعاد نانو جهت کنترل بهتر گرما در تولید و سایل نیمه هادیها ضروری است بسیار ی ازاجزای نوری و نیمه هادیها توسط لایه های نازک پوشش داده می شوند لذا مطالعه سطوح پوشیده شده با فیلمهای نازک از اهمیت بسزایی برخوردار می باشد در این مقاله سیلیکون تقویت شده با یونهای دهنده و غلظت ۱e18 با پوشش دی اکسید سیلیکون در دماهای مختلف مورد بررسی گردید و نتایج مقایسه شد ضخامت سیلیکون ۷۰۰μm و ضخامت پوشش دی اکسید سیلیکون ۶۵٫۳nm می باشد اشعه ورودی بصورت قائم می تابد نتایج نشان داد که افزایش دما منجر به کاهش ضرایب بازتاب و عبور می گردد که این امر به علت افزایش ضریب جذب با افزایش دما است سیلیکون در دماهای بالا بصورت جسم کدر رفتار می کند و لذا ضریب بازتاب در دماهای بالا به صفر می گراید نتایج نشان داد که برای دمای بالاتر از ۶۱۷درجه ضریب عبور مستقل از طول موج می شود همچنین تغییر پوشش و غلظت در دماهای بالا تاثیر چندانی بر روی ضریب صدور کلی ندارند نتایج نشان داد که ضریب بازتاب برای طول موج حدود ۴۰۰nm ثابت می شود و لذا می توان از این ساختار به عنوان فیلتر خوبی برای ناحیه فرابنفش استفاده نمود.