سال انتشار: ۱۳۸۹

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی علوم و فناوری نانو

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

سیده مژده فدایی – دانشگاه پیام نور بجنورد

چکیده:

دراین مقاله مدلی محاسباتی برای مطالعه ی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله (CNTFETs) ارائه میدهیم CNTFET ها می توانند به دو صورت تماس اهمی و یا تماس شاتکی ساخته شوند. ما محاسبات خودرا برپایه ی ترانزیستورهای نوع شاتکی قرار داده و کار آنها را براساس ضریب عبور حاملها از سد شاتکی در سطح مشترک فلز و نانولوله های کربنی نیمرسانا در نظر گرفته ایم در روش محاسباتی ارائه شده از معادله لاندائو – بوتینگر استفاده نموده و تغییرات جریان را برحسب ویژگیهای کانال، ولتاژ و دیگر پارامترها بدست اورده ایم.