سال انتشار: ۱۳۸۹

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی علوم و فناوری نانو

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

نازلی رسولی سرابی – دانشگاه تبریز دانشکده فناوریهای نوین گروه مهندسی نانوفناوری
علی رستمی –
ساناز شعارغفاری –
ارزو میقان –

چکیده:

یک میدان الکتریکی متناوب که به نقطه کوانتمی اعمال می شود از طریق برهمکنش اسپین – مدار به اسپین الکترون وصل می شود ما انواع مختلف برهمکنش اسپین – مدار را بررسی کرده ایم و ا زبین آنها دو طرز کار موثر برای کنترل اسپین در نقطه کوانتمی را در نظر گرفته ایم یکی از این دو طرز کار مولفه خطی تکانه جفت شدگی اسپین – مدار راشبا و درشلهوس می باشد که باعث ایجاد میدان مغناطیسی موثر عرضی در حضور شکاف زیمن می شود دیگری مولفه درجه سوم تکانه درشلهوس است که در نقاط کوانتمی با پتانسیل غیر هارمونیک موثر است و باعث افزایش جفت شدگی اسپین – مدار متناسب با میدان مغناطیسی می شود دراین مقاله ما هامیلتونین موثر برای اسپین را در حضور میدان الکتریکی بدست می اوریم که می تواند اسپین را در مدت ۱۰ نانوثانیه برای ساختاری که درمتن شرح داده می شود دستکاری کند.