سال انتشار: ۱۳۸۹

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی علوم و فناوری نانو

تعداد صفحات: ۸

نویسنده(ها):

بایرام کاظم پور – عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اهر

چکیده:

دراین مقاله اثر لایه نقص در بلور فوتونی یک بعدی با بهره گیری از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار گرفته شده است نشان داده شده است که مدهای نقص جایگزیدهدراین لایه جزئی متمرکز بوده است دراین کار وابستگی موقعیت این مدها به پارامترهای فیزیکی لایه نقص نظیر ثابت دی الکتریک گزارش شده است.