سال انتشار: ۱۳۸۹

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی علوم و فناوری نانو

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

شیما منتظری نمین – تهران خ حافظ دانشگاه صنعتی امیرکبیر دانشکده مهندسی معدن و متالورژی
پیروز هویدامرعشی – تهران خ حافظ دانشگاه صنعتی امیرکبیر دانشکده مهندسی معدن و متالورژی
شهیار سرامد – تهران خ حافظ دانشگاه صنعتی امیرکبیر دانشکده فیزیک و مهندسی هسته ای

چکیده:

نانوسنسورهای پیزوالکتریک انرژی مکانیکی را در مقیاس نانو به انرژی الکتریکی تبدیل میکنند نانوسیم های ZnO کاربرد وسیعی در ساخت این سنسورها دارند دراین پژوهش ابتدا نانوسیم های ZnO به روش شیمیایی در قالب اکسید الومینیوم اندی متخلخل تولید شده اند در ادامه پس ازاد سازی نانوسیم ها از قالب به منظور ساخت سنسور پیزوالکتریک نانوسیم ها تحت نیروی روبش ۲nN در مد تماسی AFM قرار گرفتند در نتیجه تغییر شکل الاستیک نانوسیم ها براثر روبش پتانسیل پیزوالکتریکی درنانوسیم ها ذخیره شده و در ادامه بصورت انرژی الکتریکی ازاد می شود این انرژی به صورت پیکهای ولتاژ در خروجی تست AFM مشاهده می شود ولتاژ خروجی در نتیجه روبش هر نانوسیم ZnO درحدود ۳۰-mv به دست آمده است.