سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

محمد پرتوی نژاد – دانشگاه شاهد
کامیار ثقفی – گروه الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شاهد

چکیده:

در این مقاله روابط بسته ای برای پراکندگی فونونهای نوری غیرقطبی بین دره ای و فونونهای نوری قطبی در ساختار یک بعدی نانوسیم GaAs/AlGaAs ارائه کرده ایم. روابط بسته ما را از محاسبات زمان برحل عددی انتگرالهای پیچیده در روابط پراکندگی نانوسیمها بی نیاز میکند با استفاده از روابط پراکندگی فونونهای صوتی و فونونهای نوری غیرقطبی بین دره ای و درون دره ای و فونونهای نوری قطبی به شبیه سازی وبررسی مشخصه های ترانزیستور نانوسیمی به روش مونت کارلو پرداخته ایم. در این شبیه سازی، دو دره L و Γ هر کدام با ۹ تراز انرژی در نظر گرفته ایم. توابع موج و ترازهای انرژی نانوسیم را از ترکیب چاه پتانسیل مثلثی و چاه پتانسیل مربعی بینهایت بدست آوردهایم. اثر تغییرات دما،ولتاژها و طول کانال را بر روی مشخصه های ترانزیستور نانوسیم نیز مورد بررسی قرار دادهایم