سال انتشار: ۱۳۸۸

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۸

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

سید ابراهیم حسینی – دانشکده فنی مهندسی دانشگاه تربیت معلم سبزوار
مهدی گردی ارمکی – دانشکده فنی مهندسی دانشگاه تربیت معلم سبزوار
محمد کاظم انوری فرد – دانشکده فنی مهندسی دانشگاه تربیت معلم سبزوار

چکیده:

در این مقاله روش کارآمدی برای مدلسازی ترانزیستور اثر میدانی با استفاده از مدل تقریبی و به کمک شبکه عصبی ارائه شده است. بر خلاف مدل های دقیق که دارای پیچیدگی بالا و هزینه زمانی وپردازشی زیادی هستند، روش پیشنهادی از پیچیدگی کمتر و سرعت پردازش بیشتری برخوردار است. در این روش از شبکه عصبی پیشخور برای محاسبه پارامتر اصلاحی در مدل نفوذ-رانش استفاده شده است. بدین صورت حل مدل تقریبی اصلاح شده منجر به جواب دقیق می شود. روش پیشنهادی برای ترانزیستور اثر میدانی سیلیکونی نازک به صورت دو بعدی و برای دو حالت درونیابی و برونیابی در رنج محدود ، شبیه سازی شده است که نتایج آن برای متغیرهای اساسی مدل، مثل توزیع الکترون و پتانسیل در طول ترانزیستور در ولتاژهای مختلف، دقت بالای روش پیشنهادی را تایید می کنند.