سال انتشار: ۱۳۸۸

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۸

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

زهرا اسلامی مقدم – گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم سبزوار
مسعود مجیدیان – گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم سبزوار
هادی عربشاهی – گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی مشهد

چکیده:

در این مقاله برای مقایسه خواص ترابرد الکترون در InN ,AlN ,GaN از روش مونت کارلو استفاده شده است. در هر سه مورد دریافتیم ،الکترون تنها وقتی بالاترین سرعت را کسب می کند که میدان الکتریکی به مقادیر بالاتر از میدان آستانه افزایش یابد. میدان آستانه شدیداً به ماده بستگی دارد، طوری که در KVm-1 InN 7900 در AlN حدود (فرمول در متن اصلی موجود می باشد) برای GaN می باشد. در میدانهای الکتریکی بالا سرعت سوق کاهش می یابد و به مقدار اشباع GaN و InN حدود (فرمول در متن اصلی موجود می باشد) و در AlN به حدود (فرمول در متن اصلی موجود می باشد) می رسد.