سال انتشار: ۱۳۸۸

محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران ۱۳۸۸

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

الهه طلایی پاشیری – گروه فیزیک دانشگاه اصفهان
سید محمد حسن فیض – گروه فیزیک دانشگاه اصفهان
مرتضی مظفری – گروه فیزیک دانشگاه اصفهان
حمید رضا فلاح – آزمایشگاه تحقیقاتی لایه نشانی، دانشگاه اصفهان

چکیده:

فیلم های نازک ZnO بر روی بسترهای شیشه ای با دو روش تبخیر با پرتو الکترونی و کند و پاش با بسامد رادیویی رشد داده شدند. اثر بازپخت هم در خلأ و هم در هوا بر رشد ترجیحی فیلم های تهیه شده به روش اول بررسی شدند. برای بررسی جهت رشد فیلم ها، الگوی پراش پرتو ایکس همه ی نمونه ها تهیه شدند. این الگوها نشان میدهند که میتوان با روش کند و پاش بدون بازپخت، فیلم های اکسید روی با جهت گیری ترجیحی ( ۰۰۲ ) تهیه کرد. رشد در این جهت، یکی از شرط های لازم برای بروز اثر پیزوالکتریک در این فیلم هاست که کاربردهای بسیاری دارند.